美一直都在想法限制ASML出货，从瓦森纳协议到芯片规则修改，从游说ASML到美日荷三方协议达成，目的就是想切断ASML等出货光刻机。

日前，三方协议内容已经流出，美计划是全面切断14nm工艺以下的技术和设备供应，这意味着ASMLDUV光刻机将也受到约束。

另外，尼康也能够生产制造DUV光刻机，所以日方也表示将会从今年春节开始限制相关半导体设备等产品出货。

虽然ASML表示该协议落地还需要一点时间，目前还能够继续出货，但从三方协议流出的内容来看，ASML被进一步约束基本已成定局。

这意味着国内厂商基本上要对ASML说再见了。

另外，美持续修改规则，还达成三方协议，限制不仅是半导体设备，还有美芯等产品。

据悉，美已经计划限制高通、英特尔等向华为等国内厂商出货4G芯片，并将浪潮等国内28家单位拉入所谓的“实体清单”。

这必然会加速国内厂商降低对美芯等产品的依赖。

数据显示，2022年国内厂商进口芯片减少超970亿颗，这已经说明国内厂商在降低对美芯等产品的依赖。

如今，美进一步限制美芯企业出货，再次将更多国内企业列入所谓的实体清单，这无疑等于切断美芯与国内企业之间的联系。

于是，就有外媒表示，对于国内厂商而言，向ASML和美芯说再见，这将会成为现实。

首先，比尔盖茨已经强调，美限制中国技术发展的努力注定要失败，该做法只会“迫使”中国花时间和金钱来制造自己的芯片，而美永远无法成功阻止中国拥有强大的芯片。

近年来，国内厂商在芯片研发制造方面突破速度很快，台积电都表示国内厂商研发设计的芯片，其工程师已经无法详细评估其综合算力。

芯片制造方面，越来越多的厂商将芯片交给国内厂商制造，已经大规模量产了14nm工艺的芯片，7nm工艺也完成研发任务，N+1工艺也实现小规模量产。

数据显示，台积电来自国内的订单也出现了下滑，已经降低至10%以内。

其次，ASML的光刻机制造技术是先进，但国产光刻机技术也一直在突破，90nm光刻机已经取得了突破。

消息称，上海微电子28nm精度的光刻机已经通过了技术验证，并在光源技术方面与国内厂商，预计很快就能够突破28nm精度的光刻机。

要知道，在多重曝光技术下，台积电用DUV光刻机量产了7nm芯片，也表示用于5nm芯片制造。

这意味着28nm精度的光刻机取得突破后，通过多重曝光工艺，将芯片制程缩小至14nm以下也是没有问题的。

最后，DUV/EUV光刻机主要制造先进工艺的芯片，但先进的芯片并非完全依赖这两种设备。

因为先进的封装工艺可以将芯片性能提升30%以上，国内小芯片封装技术突破了4nm;堆叠技术芯片可以将多核性能翻倍提升。

更何况，国内厂商在量子芯片、光电芯片方面都有领先优势，这些芯片更是未来的万物联网。

也正是因为如此，才说再见了ASML，再见了美芯片。


                                        
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